型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
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PSMN1R5-30YLC | 低压MOS管 |
NEXPERIA/安世 |
7500 |
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F3L300R07PE4 | IGBT管 |
INFINEON/英飞凌 |
10000 |
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PDTC114ET215 | NEXPERIA/安世 |
20000 |
||||||
NT5CC128M16IP-DI | 存储IC |
NANYA/南亚 |
21+ |
9000 |
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MN52M-P10 |
![]() |
通讯模块 |
ARAD/爱瑞德 |
Module |
100 |
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A3T8GF43BBF-HPLI | DDR存储器 |
ZENTEL/力积 |
24+ |
1900 |
||||
PCF8576DU/2DA/2,02 | 驱动IC |
NXP/恩智浦 |
COG |
1440 |
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A8NAGH50DBA-PK |
![]() |
DDR存储器 |
ZENTEL/力积 |
200BallFBGA |
25+ |
5 |
||
MP3398EGF-Z | 其他IC |
MPS/美国芯源 |
5000 |
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74LVC8T245PW-Q100J | 逻辑IC |
NEXPERIA/安世 |
10000 |
|||||
BN52M-P32 |
![]() |
开发板 |
ARAD/爱瑞德 |
10 |
||||
BN52H-P33 |
![]() |
开发板 |
ARAD/爱瑞德 |
43 |
||||
MN52M-C32 |
![]() |
通讯模块 |
ARAD/爱瑞德 |
Module |
100 |
|||
PCA9557PW,118 | 接口IC |
NXP/恩智浦 |
TSSOP16 |
5000 |
||||
A3V64S40GTP-60 | DDR存储器 |
ZENTEL/力积 |
1080 |
|||||
PESD4V0Z1BSFYL | NEXPERIA/安世 |
24000 |
||||||
74LVXC3245MTCX | 其他被动元件 |
ONSEMI/安森美 |
10000 |
|||||
MC74HC151ADR2G | 逻辑IC |
ONSEMI/安森美 |
15000 |
|||||
SBC846ALT1G | 超小型管 |
ONSEMI/安森美 |
10000 |
|||||
GD25Q256DFIGR | FLASH存储器 |
GD/兆易创新 |
1000 |
|||||
IPP086N10N3G | 其他被动元件 |
INFINEON/英飞凌 |
15000 |
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GDP2BFLM-CB | 存储IC |
GD/兆易创新 |
96-FBGA |
24+ |
9900 |
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EM6GC16EWBH-10H | DDR存储器 |
ETRON 钰创 |
FBGA-96 |
23+ |
1980 |
|||
A3T1GF40CBF-HP |
![]() |
DDR存储器 |
ZENTEL/力积 |
96-FBGA |
9500 |
|||
GDQ2BFAA-CE | 存储IC |
GD/兆易创新 |
96-FBGA |
24+ |
21760 |
|||
W25N02KVZEIR | FLASH存储器 |
WINBOND/华邦 |
WSON8 |
24+ |
46080 |
|||
W631GU6NB-11 | 存储IC |
WINBOND/华邦 |
VFBGA96 |
24+ |
19008 |
|||
W25Q32JVSSIQ | 存储IC |
WINBOND/华邦 |
9000 |
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H56G32CS4DX005N | 存储IC |
SKHYNIX/海力士 |
3200 |
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H54G66BYYQX104N | 存储IC |
SKHYNIX/海力士 |
1600 |